高压MOS与门芯片 - MPD07N65激发电路创新

产品介绍:不同封装尺寸的MOS管,其热阻和耗散功率各异,必须考虑系统的散热状况及环境温度(如是否有风冷、散热器形状大小限制以及环境是否封闭等因素),核心原则是:在保证功率MOS管温升与系统效率的前提下,选用参数及封装更为通用的功率MOS管。

一、中高压MOS管—MPD07N65特性分析:

极化电压达650V,最大流动电流7A。

RDS(ON)最小值仅1.4欧姆,当供给侧极化电压为10伏时。

具备低交叉导通性能,支持快速交换功能。

经历100%雪崩测试,以确保其稳定性。

二、中高压MOS管—MPD07N65应用领域展开:

转换器技术中扮演关键角色。

储能解决方案中的重要组成部分。

开关式电源设计中不可或缺的一环。

LED驱动电源系统中提供精准控制。

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