中国芯片巨擘引领潮流 中高压MOS管MPD07N65电源管理的新风向标

产品介绍:不同封装尺寸的MOS管,其热阻和耗散功率各异,必须考虑系统的散热条件与环境温度(如是否有风冷、散热器形状大小限制以及环境是否封闭等因素),基本原则是:在保证功率MOS管温升及系统效率的前提下,选取参数和封装更为通用的功率MOS管。通过精心选择,可以有效提升产品性能。

一、中高压MOS管 - MPD07N65之特性详述:

电压极限达650V,电流可达7A,

RDS(ON)最大值仅1.4Ω,当VGS设定为10V时。

支持低Crss快速交换,并经历100%雪崩测试,以确保稳定性。

二、中高压MOS管 - MPD07N65应用广泛:

转换器中扮演关键角色,

储能设备需要其稳定的输出,

开关式电源亦赖以运行,

LED光源配备需其支持。

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