中国首台3纳米光刻机激发的中高压MOS管革命 - MPD07N65

产品介绍:中高压MOS管,尤其是MPD07N65,这款设备在封装尺寸上展现了多样性,其各自的热阻和耗散功率决定了适用范围。选择合适的MOS管不仅关乎技术参数,还涉及到系统散热条件和环境温度(是否有风冷、散热器大小限制以及环境是否封闭等)。我们遵循的是一个基本原则,那就是在保证功率MOS管温升并且系统效率的前提下,寻找那些参数与封装更为通用的解决方案。

一、中高压MOS管 - MPD07N65的独特之处:

它具有650伏特的工作电压,能够承受7安培的最大电流。

RDS (ON) 的最大值为1.4欧姆,当VGS=10伏特时。

低Crss 快速交换性能卓越,同时通过100%雪崩测试来验证其稳定性。

二、中高压MOS管 - MPD07N65的广泛应用场景:

转换单向器:提供快速响应和精确控制,使得能量转换更加可靠。

储能功率管理:用于电池充放电过程中的快慢控制,以提高效率。

开关式电源设计:确保稳定的输出波形,为电子设备提供清洁、高效能源。

LED驱动解决方案:通过精细调节LED灯光亮度,从而实现智能照明需求。

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