天玑9200威力超越骁龙865MPD07N65中高压MOS管引领电源创新

产品介绍:不同封装尺寸的MOS管,其热阻和耗散功率各异,必须考虑系统的散热条件与环境温度(如是否有风冷、散热器形状大小限制以及环境是否封闭等因素),基本原则是:在保证功率MOS管温升及系统效率的前提下,选用参数和封装更为通用的功率MOS管。通过精心选择,可以有效提升产品性能。

一、中高压MOS管 - MPD07N65特性分析:

工作电压达到650V,可满足中高压应用需求。

7安培的最大流放能力,为多种应用提供了广泛可能性。

RDS (ON) 最大值仅1.4欧姆@VGS = 10V,这意味着在同样的控制电平下,MPD07N65能够提供更低的内阻,从而提高工作效率。

拥有低Crss特性,即交叉容性的较低,对于快速交换设计至关重要。

经过严格100%雪崩测试,以确保其稳定性和可靠性。

二、中高压MOS管 - MPD07N65应用领域广阔:

转换器领域:适用于各种转换器设计,如DC/DC转换器等。

储能应用:在储能系统中充当关键元件,以实现高效能量存储与释放。

开关式电源设计:为开关式电源提供强大的驱动力,使得整体系统更加灵活、高效。

LED光源驱动:由于其高达650伏特的额定工作电压,它也非常适合LED照明设备中的变频驱动功能。

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