26家芯片巨头联手MPD07N65中高压MOS管助力华为创新

产品介绍:不同封装尺寸的MOS管,其热阻和耗散功率各异,必须考虑系统的散热条件与环境温度(是否有风冷、散热器形状大小限制以及环境封闭程度等因素),基本原则是:在确保功率MOS管温升及系统效率的前提下,选取参数和封装更为通用的功率MOS管。通过精心选择,可以有效提升产品性能。

一、中高压MOS管 - MPD07N65之特性:

650V电压水平,为中高压领域提供稳定的工作状态。

7安培的最大流动能力,适用于多种应用场景。

RDS (ON) 最大值仅为1.4欧姆,当VGS=10V时表现最佳。

快速交换功能,使得故障恢复更加迅速。

经过100%雪崩测试,以确保设备稳定性和可靠性。

二、中高压MOS管 - MPD07N65之应用:

转换单元:利用其卓越性能,在转换单元中实现精准控制与高速切换。

储能装置:适用于储能技术领域,对于需要长时间存储能源的情况尤为重要。

开关式电源:其快速交换功能使其成为理想的开关式电源解决方案之一。

LED驱动电源:由于其低RDS (ON),能够提供足够的小信号变化,从而优化LED驱动效果。

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