芯片价格表精选超级驱动力MPD07N65高压MOS管激发电路性能

产品介绍:不同封装尺寸的MOS管,其热阻和耗散功率各异,必须考虑系统的散热条件与环境温度(如是否有风冷、散热器形状大小限制以及环境是否封闭等因素),基本原则是:在保证功率MOS管温升及系统效率的前提下,选用参数及封装更为通用的功率MOS管。 一、中高压MOS管 - MPD07N65的特性展开:650V电压极限、高达7安培流速,RDS(ON)最大值仅1.4欧姆,当VGS设置为10伏时。这款产品具备低Crss快速交换功能,并通过严格100%雪崩测试验证其可靠性。 二、中高压MOS管 - MPD07N65应用场景深入分析:适用于转换单元、储能设备、高性能开关式电源以及LED驱动电源等多个领域。

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